高頻噪聲模擬發(fā)生器和群脈沖發(fā)生器比較
試驗波形比較：
雖然高頻噪聲模擬發(fā)生器和群脈沖發(fā)生器都是用來做類似的試驗（設備電源線和信號線的抗干擾試驗），但高頻噪聲模擬發(fā)生器畢竟與群脈沖發(fā)生器是兩種不同的儀器。
首先，波形不同（高頻噪聲模擬發(fā)生器是方波，而群脈沖發(fā)生器是5/50ns的三角波）；其次，高頻噪聲模擬發(fā)生器的脈沖在時間上均勻分布；而群脈沖發(fā)生器則是成群出現。但要指出的是，高頻噪聲模擬發(fā)生器輸出的2KV脈沖實際上和群脈沖發(fā)生器的4KV是相當的。高頻噪聲模擬發(fā)生器是在50Ω匹配負載下測得的（高頻噪聲模擬發(fā)生器的內阻抗也是50Ω），故高頻噪聲模擬發(fā)生器的內部電容上電壓實際是4KV。標準中所指的群脈沖發(fā)生器的4KV，是指貯能電容上電壓，用50Ω匹配負載測得的輸出脈沖也就是只有2KV。
順便指出，高頻噪聲模擬發(fā)生器的“高頻”是指波形中含有偕波成分的頻率*。
對試品測試結果的比較：
群脈沖發(fā)生器和高頻噪聲模擬發(fā)生器的不同還反映在試驗結果上，從日本雜志介紹的情況來看，以模擬電路為主的系統(tǒng)，由于電快速瞬變脈沖群在單位時間內擁有較多的脈沖群，對模擬電路存在一個干擾能量的積蓄過程，因此產生失誤的機會比高頻噪聲模擬發(fā)生器要更高一些。反之，對數字系統(tǒng)來說，由于高頻噪聲模擬發(fā)生器產生的脈沖前沿更加陡峭，因此在較低的脈沖電壓作用下，就可能引起被試設備出錯。
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